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EEPROM

基于相变资料的2兆位电擦除可编程只读相变存储器(EEPROM)


产物概略和机能参数先容:

---接纳进步前辈的40纳米CMOS工艺制程

---芯片尺寸1.96 mm2

---数据存储前无需停止擦除举措

---低功耗,任务电压1.8V-3.6V,静态任务电流1uA

---SPI接口,最大任务频次30MHz

---单页(256字节)写入时候小于2.5ms

 

产物靠得住性参数先容:

---产物耐擦写次数大于10^7次

---壮大的抗辐射机能

---25℃前提下数据保管时候可达100年

---任务温度-40℃—+85℃

---2kV ESD防静电掩护才能




产物概况